Массовое производство 32 нм флеш-памяти Toshiba - в сентябре
На международной выставке INEC (International Nanotechnology Exhibition & Conference) компания Toshiba продемонстрировала 300-миллиметровые пластины, созданные с применением 32-нанометрового тех. процесса, и 32-гигабитные чипы NAND-памяти.
Toshiba
Эти чипы флеш-памяти, как сообщается, основаны на технологии "3 бита на ячейку", позволяющей компании создавать накопители гораздо большей емкости при том же физическом объеме. Однако несмотря на столь значимый технологический прорыв, Toshiba не стала вносить значительные изменения в свое производство старых 43 нм пластин.
В то же время ее представители упомянули, что память, созданная на базе 20-30 нанометрового тех. процесса, начнет выпускаться в конце 2010 или в 2011 году. Согласно вышеприведенным срокам, решение о том, какая именно технология будет внутри флеш-памяти, должно быть обнародовано совсем скоро. Массовое производство 32 нм флеш-памяти, как ожидается, начнется в сентябре. Реальные продукты на ее основе появятся несколько позже.
Источник новости: Electronista