Южнокорейская компания Hynix Semiconductor объявила о разработке чипа оперативной памяти DDR SDRAM, предназначенного для использования в портативных ПК. Объём чипа составляет 512 Мбит, рабочая частота – 185 Мгц. Также присутствует поддержка технологии ECC, которая гарантирует целостность данных. Чип выполнен по 80-нм техпроцессу и спроектирован специально для работы с мобильными приложениями. Массовое производство таких SDRAM-чипов намечено на вторую половину 2007 года, а первые образцы появятся уже в начале третьего квартала.
Hynix mobile DDR SDRAM 512 Mb
Hynix утверждает, что, работая на частоте 185 Мгц, чип характеризуется пропускной способностью данных до 1,5 Гбайт/с при условии работы в 32-битном режиме. С помощью технологий, снижающих энергопотребление чипа, удалось добиться снижения энергозатрат почти на 50%, что так необходимо для широкого диапазона мобильных приложений. Среди особенностей чипа особо выделяются такие технологии как TCSR (temperature compensated self refresh), PASR (partial array self refresh) и DPD (deep power down). Если в течение долгого периода к модулю памяти не поступает никаких запросов на чтение/запись, то активируется режим DPD, который значительно уменьшает расход энергии. С помощью TCSR чип способен подстраивать частоту обновления в зависимости от изменения своей температуры. Режим работы памяти PASR также призван сократить энергопотребление.
В ближайших планах Hynix значится выпуск интегрированных решений типа multi-chip package (MCP) или package-on-package (PoP) на базе нового чипа. Ожидается, что на одной микросхеме будут соседствовать память сразу двух типов – DDR SDRAM и NAND Flash. По мнению производителей, интегрированные чипы PoP – это идеальное решение на сегодняшний день для мобильников, цифровых камер и MP3-плееров.
Источник новости: DigiTimes