Недорогие чипы будут производится при помощи ультрафиолета

Диэлектрик в современных полупроводниковых микрочипах играет чрезвычайно важную роль, входя в структуру абсолютно всех транзисторов, являющихся базовыми элементами процессоров, контроллеров, и т.д. От физических параметров диэлектрика зависят все важнейшие характеристики процессоров – производительность, уровень тепловыделения; однако формирование изоляторов на кремниевой пластине, которые сегодня использует абсолютное большинство производителей чипов, является довольно сложной технической задачей. Одной из основных проблем является высокая (до 1000 градусов по шкале Цельсия) температура внутри реактора, в котором осуществляется окисление кремниевой пластины, что не только усложняет задачу конструирования самого реактора, но и приводит к значительным энергетическим затратам. Естественно, подобная техника производства повышает стоимость конечного продукта.

Однако исследователи нашли решение, которое позволяет значительно снизить температуру окисления поверхности кремниевой пластины – процесс взаимодействия полупроводника и кислорода проводится при воздействии ультрафиолетового излучения. При этом разработчики предлагают использовать стандартные ультрафиолетовые лампы, энергопотребление которых заметно ниже, чем у используемого сегодня оборудования.

Согласно заявлению исследователей, внедрение подобной техники окисления на современном этапе развития производства микрочипов не требует значительных материальных вложений и переналадки оборудования, а серьёзные преимущества подобного решения позволят обратить внимание чипмейкеров и сэкономить деньги будущих покупателей.

Источник новости: The Register