Компания Nantero сообщила об изготовлении и удачном тестировании памяти на основе углеродных нанотрубок, произведенной по 22-нм технологическому процессу. Разработанная NRAM-память представляет собой энергонезависимые устройства, которые могут использоваться в самых различных электронных устройствах, в том числе и в качестве будущих компактных и производительных носителей информации. Представители компании заявляют, что 22-нм NRAM-память может быть изготовлена на оборудовании, предназначенном для производства сегодняшних микропроцессоров по CMOS-технологии. Технологический процесс Nantero разрабатывала совместно с корпорацией LSI Logic, что и обеспечило совместимость с уже существующим оборудованием, требующего, разумеется, некоторой незначительной модификации. Nantero NRAM тестировалась на поддержку процессов записи и чтения информации при времени цикла всего 3 нс, что обеспечивает высочайшую скорость передачи данных, превосходя по этому параметры все сегодняшние устройства памяти. Напомним, что NRAM – не первое решение на основе углеродных нанотрубок, а этот факт, в свою очередь, говорит об относительно скором внедрении подобных технологий в массовое производство. Более точные сроки назвать чрезвычайно сложно – разработчикам может потребоваться всего несколько лет на внедрение в производство устройств на основе нанотрубок, а может пройти и более десятилетия для реализации сегодняшних идей. Источник новости: eetimes.com