Компьютеры
06 мая 2006 в 10:35

Память DDR3 поступила в тестовое производство

Компания Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила новые модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8,5 Гбайт/с. 240-контактные планки оснащены 512 мегабитными чипами памяти, общий объём которых составляет 1 Гбайт.

DDR3_1066

Чипмейкер сообщает, что уже во второй половине текущего года компания начнёт тестовое производство представленных устройств, которые будут поставляться незначительному количеству партнеров компании. О пробном производстве говорит и используемый 90-нм техпроцесс – при старте массового изготовления чипов DDR3-памяти компания планирует перейти на более совершенный 70-нм техпроцесс. Согласно планам Nanya Technology, массовое производство и поставки устройств на рынок стартуют только в 2008 году, а пока официальные представители чипмейкера заявляют, что производство устройств памяти DDR3 в ближайшей перспективе не будет приносить сколь заметной прибыли.

Основные характеристики модулей типа DDR3:

  • рабочее напряжение 1,5 В;
  • архитектура с 8-битной предвыборкой;
  • наличие датчика температуры, размещенного непосредственно на кристаллах чипов памяти;
  • работа при выставленных значениях CAS-таймингов от 5 до 10;
  • поддержка PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh) режимов работы для снижения энергопотребления;
  • чипы памяти заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса.

Источник новости: digitimes.com