Как и ожидалось, корпорация Intel официально объявила о важном прорыве, способном изменить лицо современной микроэлектроники. Речь идет об использовании в будущих поколениях фирменных процессоров так называемых транзисторов с трехмерной структурой затвора, изготовленных по инновационной технологии 3-D Tri-Gate. Данная технология, как заявлено, позволяет микросхемам функционировать на более низких значениях напряжения и с меньшими утечками тока, выводя их, таким образом, на новый уровень энергоэффективности. Как и ожидалось, корпорация Intel официально объявила о важном прорыве, способном изменить лицо современной микроэлектроники. Речь идет об использовании в будущих поколениях фирменных процессоров так называемых транзисторов с трехмерной структурой затвора, изготовленных по инновационной технологии 3-D Tri-Gate. Данная технология, как заявлено, позволяет микросхемам функционировать на более низких значениях напряжения и с меньшими утечками тока, выводя их, таким образом, на новый уровень энергоэффективности. Согласно Intel, ее новейшие 3-D Tri-Gate транзисторы, изготовленные по 22 нм производственным нормам, способны обеспечить прирост производительности на 37 процентов по сравнению со своими 32 нм аналогами, созданными по традиционной планарной технологической схеме. Кроме того, наполовину снижается их энергопотребление, а одной из главных особенностей 3D транзисторов, вытекающей из трехмерной структуры затвора, является лучший контроль параметров электротока и более быстрое переключение между рабочими состояниями. Таким образом, чипы с 3-D Tri-Gate транзисторами смогут увеличить время автономной работы мобильных устройств. По словам Intel, транзисторы с трехмерной структурой затвора первыми получат новейшие процессоры Ivy Bridge, чей дебют ожидается в первой половине 2012 года. Более того, мировой чипмейкер продемонстрировал рабочий образец подобного 22 нм CPU и вновь напомнил о планах начать массовое производство Ivy Bridge во второй половине текущего года. Источник новости: Intel