Несмотря на компактность чипов флэш-памяти, технология её упаковки продолжает своё развитие: очередным шагом на этом пути стала разработка улучшенной корпусировки чипов NAND. Новое достижение принадлежит исследователям компании Samsung, которым удалось добиться более высокой производительности и сократить габариты чипов, превзойдя по этому показателю стандартные на сегодняшний день устройства, использующие многочиповую упаковку (MCP – multi-chip packages).
Новая технология получила обозначение Wafer-level processed Stack Package (WSP), что можно перевести как стековая корпусировка на уровне пластины, и предполагает формирование проводниковых каналов в кремниевой пластине, размеры которых не превышают нескольких микрометров. Таким образом, инженеры отказались от использования внешних по отношению к ядрам чипов, занимающих много места внутри кристалла проводников, что позволило значительно сократить габариты изделий – площадь устройств стала на 15% меньше, а толщина – сразу на треть. В самой Samsung такую технологию размещения кристаллов в корпусе назвали «трёхмерной».
Еще одним достоинством WSP технологии является заметное снижение стоимости производства чипов благодаря отсутствию необходимости формирования проводников внутри кристалла – вся работа в данном случае ложится на лазерную «гравировку», исключая использование фотолитографии и значительно упрощая технологический процесс получения межсоединений ядер. К тому же, подобное решение позволяет увеличить и производительность чипов памяти в связи со снижением длины проводников сигнала и снижением сопротивления каналов.
Южнокорейский промышленный гигант сообщает об изготовлении 16-гигабитных устройств памяти, которые представляют собой массив из восьми 2-гигабитных NAND-чипов. Первые устройства, предназначенные для массового рынка, при производстве которых будет использоваться новая WSP технология, появятся в начале 2007 года, и будут заметно компактнее своих предшественников, обладая при этом более привлекательными для потребителей свойствами. К тому же, только чипами флэш-памяти применение новой разработки инженеров Samsung не ограничится – подобная техника производства чипов будет использоваться и при изготовлении DRAM-модулей, что также позволит сделать устройства оперативной памяти более компактными и производительными.
Источник новости: cdrinfo.com