Опубликовано 30 августа 2006, 13:40

Samsung представляет 80-нм гигабитные DRAM-чипы

Южнокорейский электронный гигант, компания Samsung, сообщает о начале массового производства чипов оперативной памяти DDR2 по нормам 80-нм техпроцесса.

Samsung 1Gb 80nm

Samsung 1Gb 80nm

Ещё одной характеристикой, выделяющих новую продукцию из списка аналогичных устройств, является ёмкость чипов – 1 Гбит. Таким образом, Samsung первой в индустрии выпускает столь ёмкие чипы по современному 80-нм техпроцессу.

Используя новую технологию производства, инженерам удалось создать устройства, размеры которых составляют 11 х 11,5 мм. Это на 36% меньше соответствующих параметров, характерных для 90-нм чипов. Если учесть, что основная область применения подобных ёмких устройств – серверные модули оперативной памяти объёмом до 4 Гбайт, в которых используется до 36 чипов, то становится очевидной выгода от уменьшения площади кристаллов.

К тому же, благодаря снижению площади чипа повышается количество изготавливаемых с одной кремниевой пластины устройств. Следовательно, снижается стоимость производства продукции. Не стоит забывать и об улучшении электрических свойств кремниевых кристаллов памяти.

Источник новости: AVING