Samsung совершенствует память Flex-OneNAND с помощью 40 нм технологии

Корпорация Samsung Electronics недавно объявила о переходе на 40 нм тех. процесс при производстве 8-гигабитных чипов памяти Flex-OneNAND, поддерживающих как одноуровневую (SLC), так и многоуровневую (MLC) архитектуру ячеек.

Список устройств, которые смогут использовать 40 нм память Flex-OneNAND, благодаря этому шагу расширится от смартфонов до HDTV, IPTV и другой высококлассной электроники к концу этого года. С увеличением скорости переноса данных, как ожидается, возрастет число современных телефонов с объемом  встроенной памяти до 32 Гб. Специалисты Samsung добились роста продуктивности 40 нм чипов Flex-OneNAND, до 180 процентов по сравнению с первым поколением этой памяти, представлявшем собой 4-гигабитные чипы, изготовленные по нормам 60 нм техпроцесса.

Память Samsung Flex-OneNAND была разработана в 2007 году и объединила в себе SLC и MLC NAND память в одном чипе. Это было сделано с целью достичь максимальной производительности и эффективности при работе флеш-модулей. Эта память также сокращает требуемое место на печатной  плате и увеличивает быстродействие за счет снижение помех при  переносе данных.

Источник новости: Digitimes