Сурьма и индий - новое слово в производстве процессоров
Уменьшение энергопотребления чипов - наиболее актуальная задача, поставленная в настоящее время перед исследователями в полупроводниковой индустрии. Проведение экспериментов с новыми материалами, которые смогут заменить или дополнить сегодняшнюю кремниевую подложку, считаются решающим шагом.
Intel-QuinetiQ
Компания Intel уже продолжительное время занимается данным вопросом и, надо признать, добилась заметных успехов. Производитель заявляет, что он нашел новый материал, позволяющий чипам не нагреваться и потреблять меньше энергии. Совместно с исследователями из британской QinetiQ специалисты Intel продемонстрировали прототип экономичного транзистора, в создании которого используется химическое соединение сурьмы и индия (InSb). Фирмы убеждены, что однажды новый материал сможет заменить кремний точно так же, как когда-то удалось ускорить транзисторы на 50%, уменьшив потребление энергии в 10 раз.
IsNb принадлежит тому классу материалов, которые сегодня используются для разнообразных устройствах, таких как усилители высокой частоты и даже квантовые усилители. Анонсированный прототип обладает длиной затвора 85 нм, что несколько хуже аналогичного показателя нынешних транзисторов (50 нм). Более того, поколение чипов, созданных с применением 65-нм техпроцесса, которые выйдут в ближайшие месяцы, будет обладать 35-нанометровыми затворами.
Что же до энергопотребления, то IsNb-транзисторы работают с напряжением от 0,5 В, что в два раза меньше аналогичного показателя самых неприхотливых современных чипов. По словам представителей Intel, новая технология "сможет продлить жизнь аккумуляторов мобильных устройств, а также создать все условия для создания маленьких и более мощных продуктов". Впрочем, ни Intel, ни QinetiQ не смогли точно сказать, когда начнется массовое производство IsNb-чипов.
Источник новости: MobileMag