Toshiba готовит 25 нм флеш-память – грядет новое повышение емкости мобильных устройств
Корпорация Toshiba заявила, что она находится на ранних стадиях подготовки к выпуску новых чипов NAND памяти, отвечающих нормам 25 нм техпроцесса. Подобная технология позволит со временем создавать более компактные модули флеш-памяти и другие компоненты, чем это допускает существующая 32 нм методика.
Toshiba NAND 64 Гб
При этом японский электронный гигант заявил Nikkei BP, что он планирует относительно быстро достигнуть стадии массового производства чипов NAND памяти по нормам 25 нм техпроцесса. Кроме того, к 2012 году Toshiba намерена перейти на еще более “тонкие” технологические нормы, допускающие создание продуктов с очень высокой плотностью.
Вероятнее всего, новая 25 нм флеш-память первоначально будет применяться в фирменных решениях Toshiba. Кроме того, японская компания является вторым (вслед за Samsung) мировым производителем флеш-памяти и ключевым поставщиком модулей памяти для Apple iPhone и iPod. Напомним, в конце прошлого года Toshiba представила модули флеш-памяти емкостью 64 Гб, которые могут найти применение в следующем поколении iPhone и iPod touch. А переход на 25 нм техпроцесс может привести к созданию модулей памяти емкостью 128 Гб.
Источник новости: Electronista