Ученые преодолели 20-летний барьер, создав полупроводники с высокой магнитной концентрацией

Исследователи из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) совершили прорыв, преодолев двадцатилетний барьер в создании магнитных полупроводников. Это достижение может стать основой нового поколения спинтронных устройств, способных заменить классические электроны на более эффективные технологии, использующие спин электрона. Ключ к успеху — в новой методике чередования атомарно тонких слоёв полупроводников и магнитных элементов. Ранее концентрация магнитных атомов в полупроводнике не превышала 5%, но новая технология позволила достичь 50% — это рекордный показатель. Такой скачок открывает путь к разработке чипов, не перегревающихся при высокой плотности компонентов, и обеспечивает основу для более компактной, мощной и энергоэффективной электроники. Новое поколение устройств на базе этих материалов может значительно сократить потребление энергии и воды, особенно в задачах, связанных с ИИ. Кроме того, это может ускорить развитие квантовых компьютеров, приблизив их к работе при более высоких и практичных температурах. Команда UCLA уже синтезировала более 20 новых соединений и подала патентную заявку на технологию.