Чипы смартфонов будущего будут холоднее и мощнее — все благодаря новому открытию ученых из MIT

Исследователи MIT предложили способ интеграции транзисторов из нитрида галлия (GaN) в стандартные кремниевые чипы без необходимости в дорогом оборудовании и высокотемпературной обработке.