Infineon Technologies AG (Мюнхен, Германия) начала производство опытных 512 Мбит DRAM и выпуск 256-Мбит synchronous DRAM, созданных по технологии 0,14-мкм на 200 мм фабрике в Дрездене, Германия. Производство, начатое в сентябре, даёт выигрыш в цене в 30% по сравнению с 0,17-мкм технологией. Таким образом, переходом на технологический процесс 0,14-мкм Infineon в очередной раз подчёркивает своё лидерство на рынке памяти. Infineon находится на финальной стадии подготовки к запуску продукции по 0,14-мкм процессу на фабрике в Ричмонде, штат Вирджиния и на фабрике ProMOS Technologies (Hsinchu, Taiwan). Компания также собирается перейти на 300 мм печатные платы в начале 2002 года. Источник новости: EE Times