Наука и технологии
18 сентября 2002, 11:10

Исследователи из Intel создали экспериментальный трехзатворный транзистор

Ученые из исследовательского подразделения корпорации Intel разработали опытный образец транзистора будущего. Он представляет собой очередной проектный образец "терагерцевого транзистора", представленного компанией в конце прошлого года.

Этот перспективный транзистор был разработан с использованием новых технологий, позволяющих минимизировать многочисленные негативные эффекты от миниатюризации элементов интегральных схем. В результате, станет возможным дальнейшее увеличение тактовой частоты и производительности полупроводниковых устройств.

Основная отличительная черта трехзатворного транзистора очевидна из его названия. В нем имеется не один затвор, как в традиционных полевых транзисторах, а сразу три. Использование трех затворов позволяет переносить от истока к стоку транзистора больший ток, за счет чего повышается производительность транзистора. Кроме того, использование трех затворов позволяет снизить уровень утечки тока через затвор.

Необходимо отметить, что проблема утечки тока является одной из наиболее серьезных трудностей, мешающих дальнейшей миниатюризации полупроводников. В полевых транзисторах, которые являются главными компонентами современных микросхем, ток течет от истока к стоку через затвор. Подавая на затвор электрический ток, можно открывать и закрывать его. Если затвор открыт, то ток беспрепятственно проходит от истока к стоку. Такое состояние соответствует двоичной единице. Если же затвор закрыт, то ток не проходит через транзистор, и это соответствует двоичному нулю.

Однако на практике, даже если затвор закрыт, через него протекает слабый ток, называемый током утечки. До последнего времени при разработке микросхем током утечки пренебрегали, поскольку его значение было невелико по сравнению с током, проходящим через открытый затвор. Но с уменьшением размеров транзисторов ток утечки стал сопоставим с током, проходящим через открытый затвор транзистора, а риск ложного переключения транзистора возрос. Для борьбы с утечкой тока разработаны различные технологии, например "кремний на изоляторе" (SOI).

Подробную информацию о трехзатворном транзисторе Intel представит позднее на конференции в Японии. Необходимо отметить, что транзисторы с несколькими затворами создавались и ранее. Совсем недавно миниатюрный двухзатворный транзистор продемонстрировала компания AMD. Имеются подобные разработки и у корпорации IBM. Микросхемы Intel на основе перспективных транзисторов появятся во второй половине нынешнего десятилетия.

Источник новости: Reuters