Компания Samsung представила модуль оперативной памяти DDR объемом 4 Гб

Южнокорейская компания Samsung Electronics представила первый в мире серийный модуль оперативной памяти DIMM DDR SDRAM объемом 4 Гб. Новый модуль, состоящий из тридцати шести гигабитных микросхем DDR SDRAM, предназначен для использования в высокопроизводительных серверах, рабочих станциях и суперкомпьютерах.

Микросхемы нового модуля изготовлены по фирменной 0,10-микронной технологии, разработанной специалистами компании Samsung. Гигабитные микросхемы DDR SDRAM работают на частотах от 266 до 333 МГц и поставляются в конфигурации -x4, -x8, -x16 бит в стандартном корпусе TSOP2.

Компания Samsung представила первые действующие образцы гигабитных микросхем DDR SDRAM в декабре 2002 года, тогда же начались поставки образцов этих микросхем. Серийное производство гигабитных микросхем планируется начать во второй половине 2003 года. По данным маркетингового агентства Gartner Dataquest, к 2006 году рынок гигабитных модулей памяти DDR SDRAM достигнет объема в 7,4 миллиарда долларов США.

Источник новости: Samsung Electronics