Samsung начинает выпуск 2х нм DDR3 DRAM на своей новой фабрике

Сразу о двух важных событиях в своей жизни официально сообщила корпорация Samsung Electronics. Во-первых, начались полноценные работы на ее новой фабрике Line-16 по выпуску памяти (которая, как утверждается, является крупнейшей в мире по производственной мощности). Кроме того, заявлено о начале массового производства на данном предприятии первых в индустрии чипов памяти DDR3 DRAM, в основе которых лежит технологический процесс 20 нм класса.

Заявлено, что новая 2х нм память DDR3 DRAM от Samsung позволяет на 50 процентов повысить производительность вычислительных систем с ее участием при снижении на 40 процентов энергопотребления по сравнению с показателями, демонстрируемыми чипами 30 нм класса. Первоначально южнокорейский производитель намерен достичь плотности в 2 Гбит при выпуске 2x нм памяти DDR3 DRAM, однако в дальнейшем этот показатель планируется увечить до 4 Гбит, что позволит создавать модули с емкостью 16 и 32 ГБ.

Что касается собственно фабрики Line-16, она расположена в фирменном технологическом кластере Nano City Complex в городе Хвасон и насчитывает порядка 198 000 квадратных метров рабочего пространства, а инвестиции в ее создание составили $10 миллиардов, что должно помочь Samsung укрепить свое лидерство на рынке памяти.

Источник новости: Samsung