Компания Micron объявила о начале поставок первых промышленных образцов 34 нм 16-гигабайтной NAND-памяти. При ее изготовлении используется более тонкий производственный процесс, благодаря которому стало возможным разместить восемь многоуровневых чипов памяти (MLC, multi-level cell) в едином модуле. Это позволило добиться столь большого объема памяти, не увеличивая размеры самого чипа. Специалисты Micron полагают, что с помощью этой технологии смартфоны и прочие мобильные устройства смогут нести на борту больший объем встроенной флеш-памяти, оставаясь столь же тонкими и изящными.
Micron NAND флеш
Данная разработка Micron также включает в себя собственные контроллеры памяти и 256 Мб более быстрой одноуровневой памяти (SLC, single-level cell) для программ, которым критична скорость работы.
В Micron ожидают, что переход от первых образцов к полноценному производству произойдет до конца марта, однако не называют конкретных заказчиков новой памяти. Хотя ее плотность одна из самых высоких, объем предлагаемой памяти отнюдь не рекордный. На сегодня 16-гигабайтные образцы уступают физически более крупным чипам на 32 Гб, которые должны выпустить компании Toshiba и Intel.
Источник новости: Eelectronista