Новая память от Samsung

Компания Samsung разработала 16 Mбайт DDR SRAM, работающую на частоте 400MГц. Особенностью чипа является скорость передачи данных - 800 Mбит/сек. Большая емкость и высокая скорость передачи данных с FCBGA позволяет использовать новую память как кэш-память серверов и высокопроизводительных рабочих станций.

Память выполнена по 0,18-мкм технологическому процессу, поставляется в конфигурациях 36/512 Кбайт и 18/1 Мбайт и поддерживает логику HSTL(высокоскоростная TTL). Питание - 2,5 В или 1,8 В.

Источник новости: Electronic Engineer Times (Korea)