Наука и технологии
19 июня 2002, 12:44

Новая технология изготовления DDR-II SDRAM от Elpida

Компания Elpida анонсировала новую технологию выпуска чипов и низкоимпедансных иерархических интерфейсов ввода-вывода, позволяющую изготавливать чипы памяти DRAM с производительностью до 1 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,8 В. Технология уже опробована компанией при выпуске 512 Мбит чипов DDR-II SDRAM с 0,13-мкм нормами техпроцесса, которые показали производительность в 7,5 раз большую, чем чипы PC133 SDRAM и на 75% большую, чем чипы DDR 266.

Скорость обмена 1 Gbps при напряжении питания 1,8 В требует точной синхронизации тактовых импульсов регенерации с рассогласованием не более 30 пс. Такая производительность также требует уменьшения цикла чтения/записи до уровня менее 4 нс и времени выборки менее 8 нс.

Новая технология изготовления DDR-II SDRAM от Elpida

Новая технология от Elpida удовлетворяет этим параметрам, в том числе, выдвигаемым к памяти стандарта DDR-II. Более того, по заявлению компании, эта технология может быть адаптирована для выпуска следующего поколения DRAM - DDR-III.

Источник новости: Elpida