Компания Rambus объявила о разработке новой технологии производства микросхем памяти, позволяющей повысить скорость передачи данных до 100 Гб/с. Новая технология получила название FlexPhase и является одним из основных компонентов другой разработки Rambus - интерфейса Yellowstone, служащего для подключения модулей памяти. FlexPhase позволяет повысить скорость обмена данных между шиной и памятью, а также снизить стоимость готовых микросхем за счет уменьшения числа выводов, удаления нескольких резисторов и других нововведений. При этом микросхемы, созданные на основе FlexPhase будут работать на частоте от 3,2 до 6,4 ГГц и обеспечат скорость передачи данных от 10 до 100 Гб/с.
Прототипы памяти на основе технологии FlexPhase были продемонстрированы на форуме для разработчиков, проводившемся Rambus в Токио 2 и 3 июля этого года. Представленные чипы были выпущены компанией Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) по 0,13-микронной технологии и работали на частоте 1,6 ГГц (частота тактового генератора составляла 400 МГц). Скорость передачи данных представленных на форуме чипов достигала 3,2 Гб/с. В настоящее время Rambus уже начала продавать лицензии на Yellowstone, а широкое производство памяти на базе этой технологии должно начаться в 2004 г.
Источник новости: Rambus