Новые планы Rambus по выпуску микросхем памяти

Известный разработчик оперативной памяти компания Rambus обнародовала свои новые планы по выпуску микросхем памяти, созданных на основе технологии под кодовым наименованием Yellowstone.

Yellowstone - это двунаправленная дифференциальная технология, позволяющая создавать недорогие высокопроизводительные микросхемы, обеспечивающая высокую скорость обмена данными между оперативной памятью и процессором, высокую производительность и низкую стоимость микросхем. В чипах Yellowstone используется низковольтная технология (от 1,0 до 1,2 В) со сверхнизким уровнем сигнала (200 мВ), носящая название Differential Rambus Signaling Levels (DRSL).

Микросхемы, изготовленные по технологии Yellowstone, работают с восьмикратной скоростью обмена (Octal Data Rates, ODR), которая достигается благодаря передаче восьми бит данных за один такт. Производительность таких модулей памяти составляет 3,2 ГГц при работе на частоте 400 МГц. Возможно и дальнейшее наращивание производительности до 6,4 ГГц и более. Как явствует из иллюстрации, 64-разрядный модуль RIMM 11G обеспечивает пропускную способность 10,7 Гб в секунду.

Новые планы Rambus по выпуску микросхем памяти

Источник новости: VR-Zone