Планы Samsung по выпуску микросхем оперативной памяти

Южнокорейская компания Samsung обнародовала свои новые планы по выпуску микросхем оперативной памяти.

К 2004 году компания Samsung намерена представить микросхемы оперативной памяти типа DDR-II, работающие на частоте до 667 МГц, а к 2007 году - чипы типа DDR-III, которые будут работать уже на частоте 1 ГГц.

Представители Samsung подтвердили, что они будут продолжать разработки микросхем оперативной памяти по технологии Rambus. Основными целями при этом являются дальнейшее повышение производительности и удешевление производства этих микросхем. В 2003 году появятся микросхемы памяти типа RDRAM (Rambus) с частотой 1333 МГц, которые, по всей видимости, предназначены для процессоров Intel следующего поколения с системной шиной, работающей на частоте 667 МГц.

Эти планы были оглашены на форуме разработчиков Rambus, который прошел в конце июля на Тайване. Помимо Samsung, в этом форуме принимали участие такие крупные компании-разработчики микросхем, как Elpida и SiS. Подробнее с материалами, представленными этими фирмами на форуме разработчиков Rambus, можно ознакомиться на сайте Rambus.

Источник новости: Rambus