После успеха с 5-нм чипы, HUAWEI взялась за 3 нм

HUAWEI официально начала разработку 3-нм чипов по перспективной архитектуре GAA, стремясь закрепиться в лидерах полупроводниковой индустрии Китая. Об этом сообщает Taiwan Economic Daily. Проект стал логичным продолжением успеха 5-нм чипа Kirin X90, созданного совместно с китайским производителем SMIC. На новом этапе HUAWEI делает ставку не только на GAA-дизайн, который сейчас применяет лишь Samsung, но и на радикально новые материалы. Так, компания изучает возможность использования двумерных структур для каналов транзисторов, а также работает над карбоновой версией 3-нм архитектуры на основе нанотрубок. В случае успеха, HUAWEI может предложить решения с меньшим энергопотреблением и более высокой плотностью транзисторов по сравнению с традиционным кремнием. Пока проект находится на ранней стадии, но амбиции выглядят серьёзно — особенно с учётом того, что компания уже успешно адаптировала 5-нм техпроцесс под реальные потребительские устройства. На фоне санкционного давления США, такие шаги HUAWEI становятся не просто технологическим прогрессом, а стратегическим вызовом Западу.