Наука и технологии
19 октября 2001 в 15:32

Разработана технология, позволяющая менять параметры CMOS-транзисторов после их выпуска

Разработана технология, позволяющая менять параметры CMOS-транзисторов после их выпуска

Impinj Inc., разработавшая эту технологию, утверждает, что этот процесс пригодится для подстройки транзисторов в аналоговых цепях, в производстве высококачественных приводов, интерфейсов и коммуникационных устройствах в будущем году.

Процесс, названный Self-Adaptive Silicon, самонастраивающийся силикон, был разработан совместно Карвер Мидом (Carver Mead) и соучредителем Impinj Крисом Диорио (Chris Diorio). Он (процесс) использует впрыснутый заряд (называемый p+) в floating gate транзистора pFET для изменения характеристик транзистора CMOS.

Эти p+ заряды могут быть использованы для изменения рабочего напряжения, частоты перехода, соотношение сигнал/шум, динамические параметры и прочие релевантные параметры CMOS-транзисторов.

Источник новости: Silicon Strategies