Наука и технологии
28 сентября 2001, 12:59

Samsung разработала Rambus DRAM с частотой 1,066 МГц

Samsung разработала Rambus DRAM с частотой 1,066 МГц

Компания Samsung Electronics Co. заявила о разработке нового модуля памяти - с повышенной плотностью и увеличенной частотой работы. По заявлению представителей компании, затраты на производство новых модулей будут меньше, чем затраты на производство существующих чипов RDRAM. В настоящее время компьютеры, оснащенные RDRAM, стоят в среднем на 100 долларов дороже аналогичных систем с памятью SDRAM.

В новом модуле плотность доведена до 576 Мбит/чип, а скорость работы - до 1,066 МГц, против модулей 256 Мбит/чип с чатотой работы 800 МГц. Массовое производство продукта будет налажено ко второму кварталу 2002 года. Новый модуль разработан по 0,12-мкм технологии, структура – "4-банковая".

Новая память будет широко использоваться в высокоточных компьютерах, рабочих станциях и серверах. Модуль идеально подходит для профессиональной обработки графики.

Источник новости: Samsung