SK hynix выпустила первую в мире 321-слойную флеш-память UFS 4.1 для смартфонов

Южнокорейская компания SK hynix объявила о создании первой в мире 321-слойной флэш-памяти формата UFS 4.1 на базе технологии 3D TLC NAND. Новинка предназначена для мобильных устройств и ориентирована на улучшение производительности встроенных ИИ-систем. news.skhynix.com/sk-hynix-develops-ufs-solution-based-on-321-high-nand/Рост интереса к функциям на базе искусственного интеллекта прямо на смартфонах требует от памяти высокой скорости и низкого энергопотребления. Новая разработка SK hynix отвечает этим требованиям: она обеспечивает быструю передачу данных при меньшей нагрузке на батарею. Память стала тоньше — всего 0,85 мм против 1 мм в предыдущем поколении. Это важно для сверхтонких смартфонов. Энергоэффективность улучшена на 7% по сравнению с прошлой моделью, а скорость последовательного чтения достигает 4300 МБ/с — это рекорд для накопителей UFS четвертого поколения. Кроме того, устройство ускоряет произвольное чтение и запись данных — важный параметр для многозадачности. Показатели выросли на 15% и 40% соответственно. Это позволяет приложениям на базе ИИ запускаться и работать быстрее, повышая отзывчивость системы. Компания планирует начать массовые поставки в первом квартале следующего года. На старте будут доступны варианты на 512 ГБ и 1 ТБ. Также в планах SK hynix — выпуск аналогичной технологии для SSD, включая решения для дата-центров.