На прошедшей в Китае конференции ассоциации JEDEC состоялось обсуждение чернового варианта стандарта оперативной памяти следующего поколения DDR-III.
Предварительные детали спецификаций пока что таковы: пропускная способность чипов - от 800 Мбит/с, с последующим увеличением до 1,5 Гбит/с, рабочее напряжение - 1,2 или 1,5 В. Для сравнения, чип DDR работает на 2,5 В и обеспечивает скорость в 266-400 Мбит/с, а чип DDR-II работает на 1,8 В со скоростью в 533-677 Мбит/с.
Емкость чипов, по данным менеджера по маркетингу Уильяма Шена из Infineon, будет равняться 4 Гбитам (то есть 512 Мбайтам). Как и в DDR-II, в новой памяти будет использоваться технология SLT (short-loop through), призванная бороться с искажением сигналов, возникающим при работе на высоких частотах.
В JEDEC планируют принять спецификации DDR-III в качестве стандарта в 2005 году, а производство, согласно прогнозам, начнется в 2007 г. JEDEC также собирается в скором времени выпустить в дополнение к DDR-II спецификации для 2-гигабитных чипов и модулей с удвоенным числом банков памяти.
Источник новости: EBNews