TSMC продемонстрировала транзистор с длиной затвора в 0,025 микрона

Один из крупнейших тайваньских производителей микросхем, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) 12 декабря 2002 года продемонстрировала первый в мире транзистор с затвором длиной 0,025 микрона. По прогнозу Консорциума компаний-производителей полупроводников, опубликованному в докладе "Направления развития полупроводниковых технологий в мире" (ITRS, такие транзисторы должны были появиться только в 2007 году. Летом текущего года специалистами TSMC были разработаны первые транзисторы с размером затвора в 0,035 мкм.

Рабочее напряжение нового транзистора типа FinFET КМОП (полевой комплементарный металлооксидный полупроводник) составляет всего 0,7 вольта, что позволяет существенно увеличить производительность микросхем, не повышая их энергопотребление. Новые полевые транзисторы изготовлены по технологии Omega FinFET, названной так, поскольку выполненные на её основе полупроводники напоминают по форме хвостовой плавник рыбы (backfin), а форма затвора - греческую букву "Омега". Время срабатывания N-транзистора составляет 0,39 пс, а P-транзистора - 0,88 пс (1 пс=10^-12 с).

Представители компании TSMC заявили, что пока еще рано говорить о сроках начала производства микросхем по 0,025-микронной технологии и об ориентировочной стоимости таких чипов. О сфере применения таких транзисторов пока тоже не сообщается.

Источник новости: DigiTimes