Российские учёные разработали первый отечественный имплантер для создания электроники будущего Новосибирские учёные совершили прорыв в микроэлектронике, создав первое в России устройство для производства современных микрочипов. Команда Института ядерной физики СО РАН разработала уникальный ионный источник, который позволяет наносить специальные примеси на кремниевые пластины с высокой точностью. Это изобретение может стать ключевым элементом для развития отечественной микроэлектронной промышленности. Разработанное устройство использует особую технологию с остроконечной структурой магнитного поля, что делает его универсальным для работы с ионными пучками любой ширины. Первые испытания прошли успешно и показали отличные результаты в равномерности нанесения примесей. В институте специально создали молодёжную лабораторию, объединившую специалистов разных направлений — от физики плазмы до силовой электроники. Руководитель проекта Сергей Константинов отметил, что команда достигла впечатляющих результатов в равномерности работы устройства. Новая технология уже привлекла внимание ведущих производителей микроэлектроники — институт начал сотрудничество с предприятиями Зеленограда для создания полностью отечественных систем производства микрочипов. Разработчики продолжают улучшать характеристики устройства под конкретные производственные задачи.