Выпущена первая микросхема по 90-нанометровой технологии Intel
Исследователи из корпорации Intel создали самую маленькую в мире ячейку памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory, или статическое запоминающее устройство с произвольной выборкой), площадь которой составляет всего 1 мкм2. Эта ячейка – структурная компонента микросхемы памяти – является частью полнофункциональной микросхемы памяти SRAM, произведенной по разработанной Intel 90-нанометровой технологии. Факт создания подобной микросхемы подтверждает приверженность корпорации планам по массовому внедрению новой производственной технологии в 2003 году.
Корпорация Intel намерена внедрить 90-нанометровую технологию в массовое производство в течение следующего года, тем самым, в очередной раз на практике подтвердив действующий уже 12 лет закон о переходе на технологию производства нового поколения каждые два года. По новой технологии корпорация будет производить большинство своей продукции, в том числе, процессоры, наборы микросхем и коммуникационное оборудование. Продукция по данной технологии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках.
Информация о микросхемах SRAM
Исследователи корпорации Intel создали 52-Мбит микросхемы – самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 мм2 (меньше, чем у десятицентовой монеты).
Новые 52-мегабитные микросхемы памяти стандарта SRAM были созданы на экспериментальной фабрике D1C корпорации Intel по выпуску продукции на 300-миллиметровых подложках в Хилсборо, штат Орегон, с использованием комбинации литографических инструментов толщиной 193 и 248 миллимикрон.
Производство микросхем памяти стандарта SRAM традиционно используется в отрасли для тестирования новых технологий создания логических микросхем. Малый размер ячейки памяти играет исключительно важную роль, поскольку он позволит Intel экономически эффективно увеличить производительность микропроцессора за счет увеличения объема встроенной кэш-памяти и повышения общей емкости логической микросхемы. Рабочие микросхемы памяти стандарта SRAM также являются доказательством успешного практического воплощения всех возможностей 90-нанометровой технологии производства, необходимых для создания микропроцессоров, включая высокопроизводительные транзисторы и медные соединения.
Источник новости: Intel