Учёные создали материал для энергоэффективной памяти на основе оксида галлия

Согласно материалу портала Наука.рф, для спинтроники требуются полупроводники, в которых можно управлять магнитными характеристиками. Оксид галлия уже рассматривают как перспективную замену кремнию в силовой электронике, однако его магнитные свойства были изучены недостаточно. Учёные впервые вырастили монокристаллы с высокой концентрацией железа, которое частично заместило галлий в решётке, не меняя её структуры. Магнитометрия и микромагнитное моделирование подтвердили, что магнитное упорядочение сосредоточено в областях с повышенной концентрацией железа.

По словам авторов работы, этот шаг приближает создание электронных приборов, способных одновременно обеспечивать быструю коммутацию энергии в высоковольтных линиях и надёжное магнитное хранение данных на одном кристалле. В перспективе материал может лечь в основу новых типов памяти с высокой энергоэффективностью и быстродействием.

«Наша команда впервые вырастила раствор-расплавным методом монокристаллы оксида галлия, сильно легированные железом. В полученных кристаллах мы выявили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре», — рассказал профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Камиль Гареев.