В СО РАН нашли способ сохранить свойства диоксида гафния при нагреве

В пресс-службе Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН сообщили, что ученые разработали способ стабилизации тонких пленок диоксида гафния для использования в электронике. Улучшенные пленки получили при чередовании слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15:1. Материал выращивали методом атомно-слоевого осаждения в Курчатовском институте.