Samsung представила новую флеш-память BV-NAND V10 и zHBM для ИИ

На выставке FMS 2026 Samsung показала сразу несколько новых разработок в области памяти и накопителей. В центре внимания была флеш-память BV-NAND V10, первая в мире память с более чем 400 слоями ячеек, упакованных с помощью специальной технологии, между прочим. По сравнению с предыдущей версией плотность хранения выросла на 58%.