Доказано существование сверхпроводящего состояния, предсказанного еще в 2017 году

Исследователи сосредоточились на сверхпроводящем состоянии Изинга, которое обладает замечательной способностью противостоять магнитным полям, обычно нарушающим сверхпроводимость. Они успешно разработали устройство, использующее двойной слой дисульфида молибдена, который может соединять состояния сверхпроводимости Изинга внутри слоев. Это устройство позволяет активировать или деактивировать эту защиту с помощью электрического поля, по сути, создавая сверхпроводящий транзистор.

Состояние FFLO, которое наблюдали ученые, является давней проблемой в области сверхпроводимости. В этом состоянии существует чистый кинетический импульс из-за небольшой разницы в скорости между электронами в парах Купера. Предыдущие попытки создать такое состояние в обычных сверхпроводниках требовали чрезвычайно низких температур и сильного магнитного поля. Однако в сверхпроводнике Изинга Йе удалось достичь состояния FFLO с помощью более слабого магнитного поля и при более высоких температурах.

Дальнейшее изучение этого нового сверхпроводящего состояния необходимо для лучшего понимания его характеристик и потенциальных применений.