Представители компании Samsung Semiconductor сообщили о разработке 36 Мбит модулей QDRII (Quad Data Rate II), DDRII (Double Data Rate II) и NtRAM(No Turnaround Random Access Memory). Все представленные модели разработаны по 0,15-мкм технологическому процессу. Данные модули SRAM высокой плотности позиционируются как решения для сетевого, телекоммуникационного оборудования и систем обработки данных. 36 Мбит модули QDRII и DDRII, по заявлению представителей компании, существенно повышают производительность коммутаторов и маршрутизаторов. В виду растущего спроса на модули памяти с высокой скоростью работы (250 МГц для представленных устройств), производители сетевых приложений уже заказали новую продукцию Samsung. Линейки модулей QDRII и DDRII от Samsung включают в себя: QDR Burst 2; QDR Burst 4; DDR common Burst 2; DDR common I/O, Burst 4 и доступны в конфигурациях x8, x18 и x36. Модули NtRAM доступны в конфигурациях x18, x36 и x72. Корпуса модулей следующие: QDRII: 165FBGA DDRII: 153BGA/ 165FBGA NtRAM(TM): 100TQFP/119BGA/165FBGA/209BGA. Инженерные образцы 36 Мбит модулей QDRII, DDRII и NtRAM будут доступны в декабре, массовое производство запланировано на середину 2002 года. В настоящее время цены на модули составляют: QDRII: 110 долларов, DDRII: 120 долларов, NtRAM - 100 долларов. Источник новости: Electic