Наука и технологии
16 мая 2002 в 09:32

Motorola будет использовать технологию однотранзисторной памяти MoSys

Компания MoSys, сообщила о том, что лицензировала технологию встроенной памяти 1T-SRAM отделу полупроводниковых устройств компании Motorola. Лицензированная технология позволит Motorola создавать высокопроизводительные блоки интегрированной памяти высокой плотности.

По словам Марка-Эрика Джонса, вице-президента MoSys, технология 1T-SRAM позволит компании не только снизить стоимость производства памяти, но и обеспечит качество и надежность необходимого уровня.

К настоящему времени по технологии встроенной памяти 1T-SRAM произведено 20 млн. чипов, общая емкость которых составляет свыше 1 млрд. Гбит.

Источник новости: MoSys