Российские учёные нашли способ продлить срок службы ферроэлектрической памяти

Ферроэлектрическая память сочетает преимущества флеш-накопителей и оперативной памяти: она быстрая, энергонезависимая и обладает высокой плотностью записи. Однако её применение пока ограничено из-за того, что со временем в ячейках может происходить сбой при чтении, связанный с изменением электрических характеристик. Это приводит к риску потери информации, отметили в пресс-службе.

Разработанный алгоритм учитывает изменения так называемого коэрцитивного напряжения, которое определяет, при каких условиях можно стереть или записать данные. Учёные проанализировали, как на эти параметры влияют температура, структура материала, число циклов перезаписи и другие факторы.

Точность алгоритма подтвердили экспериментами с использованием памяти на основе оксидов циркония и гафния. Полученные расчёты совпали с реальными результатами, что делает модель надёжным инструментом для оценки свойств новых материалов и проектирования более устойчивых устройств хранения данных.