В СО РАН нашли способ сохранить свойства диоксида гафния при нагреве

Материал подходит для транзисторов и памяти

В пресс-службе Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН сообщили, что ученые разработали способ стабилизации тонких пленок диоксида гафния для использования в электронике. Улучшенные пленки получили при чередовании слоев диоксида гафния и оксида алюминия в соотношении 15:1. Материал выращивали методом атомно-слоевого осаждения в Курчатовском институте.

В СО РАН нашли способ сохранить свойства диоксида гафния при нагреве

Исследования показали, что нужная фаза сохраняется при температуре до 900 градусов Цельсия. При нагреве выше 800 градусов кремний начинает забирать кислород из диоксида гафния, из-за чего его свойства ухудшаются. Поэтому ученые предлагают ограничить нагрев 750 градусами и использовать тонкий барьерный слой.

Такие структуры могут применяться в двухзатворных транзисторах, энергонезависимой памяти и мобильной связи нового поколения. Ресурс памяти на диоксиде гафния потенциально может значительно превышать около 10 тыс. циклов записи у флэш-памяти, отметили в пресс-службе.

Источник:ТАСС

Автор:Ингела Воробьева

Теги:

#В России

#Россия

#электроника

#наука