Память

Тайваньские ученые научились восстанавливать флеш-память

Samsung приступает к выпуску 64-ГБ модулей eMMC на базе NAND-памяти 10-нм класса

Samsung начинает производство первой в мире 2-ГБ памяти LPDDR3 по нормам 30-нм класса

Hynix демонстрирует 1х-нм NAND и модули DDR4 для серверов

Модули памяти Kingston HyperX Predator для оверклокеров

Комплекты памяти Transcend aXeRam DDR3-2400 и DDR3-2133 на 8 ГБ для энтузиастов оверклокинга

Team Group представила первую в мире память DDR3 с рабочей частотой 3 ГГц

Samsung приступает к выпуску первой в индустрии 2х-нм памяти LPDDR2 на 4 Гбит

Линейка модулей памяти DDR3L ECC SO-DIMM от ADATA для микро-серверов

CeBIT 2012: G.SKILL представляет самую быструю четырехканальную память DDR3 на 2666 МГц

CeBIT 2012: экстремальная память DDR3 от G.SKILL для систем на Intel Z77

Банкротство Elpida Memory может негативно сказаться на рынке DRAM

SanDisk создает самый маленький в мире 128-Гбит чип NAND

Elpida Memory создает прототип резистивной памяти с произвольным доступом

Исследователи IBM создали однобитовый элемент магнитной памяти, используя 12 атомов

Intel и Micron анонсируют первый в мире 20 нм NAND чип на 128 Гбит

AMD начинает продажи модулей оперативной памяти под собственным брендом

Corsair устанавливает новый мировой рекорд разгона памяти при помощи AMD FX-8150

Samsung и Micron намерены продвигать технологию Hybrid Memory Cube

Samsung создает 4 Гбит чип LPDDR3 и 64 ГБ e-MMC для мобильных устройств

Elpida создает первый в индустрии 25 нм чип DDR3 SDRAM на 4 Гбит

AMD выпустила память DDR3 под брендом Radeon

NEC создает ассоциативную память, не требующую энергии для хранения данных

РОСНАНО и Crocus создают первое в мире производство MRAM по технологии 90 и 65 нм

Samsung начинает выпуск скоростной 64 Гбит MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2

Память Dominator GT от Corsair приняла участие в установлении 3DMark рекордов

Toshiba представила 24 нм SmartNAND с ECC контроллером

Hynix создает DDR4 DRAM с частотой 2400 МГц

Samsung выпускает мобильную память LPDDR2 DRAM на 4 Гбит

Стандарт ONFI 3.0 доводит скорость флеш-памяти до 400 МБ/с

MWC 2011: SanDisk представила новую встраиваемую память для мобильных устройств

Samsung создает первый в мире модуль памяти DDR4 с использованием технологии 30 нм класса

Открытие IBM Research приближает создание «трековой» памяти к реальности

Toshiba привлечет Samsung к выпуску своих чипов

2- и 4-канальные комплекты GeIL Gaming DDR3 Black Dragon уже в России